【摘要】以ZnO、ZnSe和ZnTe为代表的Ⅱ-Ⅵ化合物半导体和以GaN材料为代表的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料(包括AlN、GaN、InN及其合金)在光电器件的应用上获得了快速的发展。Ⅲ-Ⅴ族氮化物具有优良的光电性质,稳定的化学性质,使其可在高温、酸碱、辐射环境下使用。它们都是直接带隙材料且带隙跨越很大,可从InN的0.7eV到AlN的6.28eV,在蓝、绿光和紫外波段的光电子器件方面应用广泛。Zn […]