【摘要】SiC材料作为一种第三代半导体材料,因其具有禁带宽度大(3.2ev),耐击穿电场强(2.2×106V/cm),饱和电子迁移速度高(2.0×107cm/s),热导率高(4.9W/cmK)和化学稳定性好等优异的物理化学及电学性能,被认为是制作高功率、高频率电子器件的理想材料,可广泛用于高温强辐射等极限条件,在国民经济以及国防科技等领域有着十分广阔的应用前景。高质量的外延层是SiC器件广泛应用的 […]

【摘要】摘要：传统金属矿产资源开发利用模式引发的地质灾害、环境破坏和废料排放,已经成为制约我国矿产资源可持续开发利用与矿业健康发展的重要因素。要彻底缓解资源、能源、环境的瓶颈制约,实现从资源、能源耗费型向节约型转变,必改变先污染后治理的发展模式,大力发展以清洁生产、资源高效开采和废物循环利用为特征的绿色可持续资源开发模式。膏体充填是突破传统充填技术屏障、实现矿床安全清洁高效开采的重要技术载体。膏体 […]