【摘要】氧化锌纳米材料是一种优异的n型半导体，属于六方纤锌矿结构。氧化锌的禁带宽为3.3~3.6eV，在室温下，其激子束缚能为60meV，另外由于它的白度高、无毒、化学稳定性、生产成本低而得到了广泛的应用。其中由于铝掺杂氧化锌的原材料廉价易得，光电性能好，因此对其报道比较多。本文采用了具有操作简单，可以大规模生产与环境经济友好的化学共沉淀法制备铝掺杂氧化锌(AZO)纳米粉末，另外研究了AZO纳米粉 […]

【摘要】近年来，随着电子产品的小型化、高效化和多功能化进程加快，对制造电子产品的材料提出了更高的要求。NiCuZn铁氧体作为一种软磁材料，因其具有较好的电磁学性能和较低的损耗，已经在电子器件的制造领域得到了广泛的应用。本文通过采用化学共沉淀法制备纳米级NiCuZn铁氧体粉末，主要研究了Mg2+和Co2+共同取代Ni2+对材料磁学性能的影响，并且同时还研究了沉淀剂、共沉淀反应温度、反应时间和煅烧温度 […]