【摘要】鉴于传统硅基MEMS压力传感器在高温、潮湿等复杂环境中的应用具有一定的局限性，本文设计了一种SiC基无线高温压力传感器，能够克服高温环境中传统压力传感器压敏结构失稳及电引线性能退化的问题。SiC材料作为一种新兴的第三代宽带隙半导体材料，其半导体器件能够适应高温、高频、大功率等工作环境，随着SiC材料MEMS加工工艺的不断成熟，对其进行高温压力传感器的制备研究具有重要的现实意义。本文结合国内 […]