【摘要】硅是微电子器件中应用最为广泛的半导体材料,以其为基础的各类硅系纳米材料具有与块体硅材料完全不同的光学、电学特性,可用于制备各种纳米器件。在本研究中,以SiHH4和H2为前驱体气体,通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备结合退火处理制备了一系列氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜、纳米硅(nc-Si)薄膜,氢化非晶碳化硅(a-Si1-xCx:H)薄膜,硅纳米线(SiNWs),研究了从氢化 […]