【摘要】GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）具有大的禁带宽度、高的临界击穿场强、高的电子饱和漂移速度、以及强的自发和压电极化效应产生的具有优越输运特性的二维电子气（2DEG）等出色的材料性能，非常适合应用于高温、高压、高频大功率电子器件，在过去二十年中得到了广泛而深入的研究并取得了重大进展。为了满足对器件性能日益增长的需求，人们在材料外延技术、新材料应用、器件结构设计和器件制备工艺等方面作了大量 […]