【摘要】随着半导体技术的飞速发展,以GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体由于它在制造异质结构和可调式器件,以及光电设备等方面的应用,因此备受关注。近几年来,为优化和扩大半导体设备的应用,可以通过改变组分使其具有广泛性能的半导体三元混晶,比如AlxGa1-xAs已被广泛应用到像超晶格、钠米线、量子阱、量子线、量子点的纳米电子器件中。然而由于计算的复杂性,目前对三元混晶AlxGa1-xAs的电子带结构 […]

【摘要】在Ⅲ-V族氮化物半导体中,氮化镓(GaN)和氮化硼(BN)具有很高的发光效率、硬度、热导率、抗辐射能力。它们在蓝绿发光元件、微电子元件、存储元件等许多发光电器件中应用,是目前世界上先进的半导体材料,已经引起广泛关注。GaN和BN主要有纤锌矿和和闪锌矿两种晶体结构,目前广泛研究和应用的是纤锌矿结构晶体。基于密度泛函理论第一性原理方法,本文选取广义梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA)两种 […]

【摘要】自从碳富勒烯在实验上被制备出来后,人们对碳富勒烯的外接、异质以及内嵌的各种碳衍生物以及富勒烯固体进行了大量的研究,发现了许多新异的性质。本论文选取几种富勒烯(或碳团簇)构建了碳团簇固体,并对这些碳团簇固体的电子结构、力学性质、振动性质、热力学性质进行了深入研究,得到了一些有意义的结果。本论文共分为五章。第一章首先简要介绍了富勒烯及其衍生物的相关研究,并着重对富勒烯固体的研究现状进行了阐述。 […]