【摘要】SiC材料作为一种第三代半导体材料,因其具有禁带宽度大(3.2ev),耐击穿电场强(2.2×106V/cm),饱和电子迁移速度高(2.0×107cm/s),热导率高(4.9W/cmK)和化学稳定性好等优异的物理化学及电学性能,被认为是制作高功率、高频率电子器件的理想材料,可广泛用于高温强辐射等极限条件,在国民经济以及国防科技等领域有着十分广阔的应用前景。高质量的外延层是SiC器件广泛应用的 […]