【摘要】过去的几十年里，微电子器件尺寸按照摩尔定律持续减小，电子产品性能得到空前提高。但是在半导体制作工艺尺寸缩小到深亚微米量级后，工艺技术逐渐达到物理极限，量子效应、短沟道效应等小尺寸效应越来越凸显，成为摩尔定律继续发展的瓶颈。三维集成电路（Three-DimensionalIntegratedCircuit,3DIC）不再一味追求小尺寸，而是采用三维堆叠的方式来提高系统集成度，通过硅通孔（Th […]