【摘要】随着SLC(Single-LevelCell)NANDFlash页容量的扩大以及MLC(Multi-LevelCell)和TLC(Trinary-LevelCell)架构的推出,NANDFlash出现错误的概率增大,出现错误的种类也增多,传统的汉明(Hamming)码ECC(ErrorCheckingandCorrecting)只能纠正一位错误,检测出两位错误,已不能满足当前多数NANDF […]