【摘要】集成电路(IC)技术遵循“Moore定律”的发展进入了纳米尺度，来自短沟道效应、寄生效应以及量子隧穿等问题的挑战使得传统的微电子器件技术越来越难以满足IC技术持续发展的要求，特别是日益严重的功耗问题，已经成为延续“Moore定律”的最大瓶颈。为解决现阶段IC发展中遇到的“功耗限制”问题，基于PIN结构的超陡峭亚阈值斜率器件IMOS和TFET成为了当前国际上的研究热点。IMOS和TFET器件 […]