【摘要】随着微电子技术的不断发展，传统的Si材料、Si器件受到了诸多挑战，半导体器件的性能因材料和器件物理特性的限制难以继续提高，为此，需要采用新型材料与器件结构以获得半导体器件性能的进一步改善。在此背景下，硅基双轴应变技术应运而生。随着应力的引入，Si和SiGe材料的能带结构发生了改变，材料载流子迁移率获得提升，使得基于该技术的MOS器件性能增强，同时，硅基双轴应变材料容易实现大面积生长，器件的 […]