【摘要】近年来,随着科学技术的不断进步,在半导体材料方面取得的成果也越来越明显,特别是AIN,GaN,InN及其合金化合物等III-V族氮化物半导体材料,更是得到了快速的发展。其中,GaN材料作为III-V族化合物半导体材料的代表,由于其拥有着优良的物理、化学性质和十分广泛的应用前景,逐渐成为研究的热点。GaN及其合金化合物都是直接带隙半导体材料并且带隙宽度的变化范围很大,根据组分的不同,带隙可从 […]