【摘要】可靠性问题始终伴随着超大规模集成电路(VLSI)的发展和应用。随着金属-氧化层-半导体场效晶体管(MOSFET)特征尺寸的不断缩小,热载流子注入(HCI)呈现出新的物理机制,严重影响了器件的寿命。HCI退化是纳米小尺寸器件中重要的可靠性问题。本文采用CMOS集成电路标准工艺制备的纳米小尺寸(0.13μm-322m)器件,结合目前的理论模型现状和本组已有的研究基础,重点研究了不同工艺节点下的 […]