双腔CVD系统的研制及石墨烯上氮化镓生长行为的研究 03月07日
【摘要】GaN材料和石墨烯的研究与应用都是全球的前沿热点。一方面因为GaN材料作为第三代半导体材料在微电子器件、光电子器件的广泛应用。另一方面因为石墨烯这一“超级材料”具有高强度、高导电性、高透过率等优异特性。石墨烯与半导体材料的结合使用,将会使石墨烯在半导体领域拥有广阔的应用前景,因此研究石墨烯与半导体复合系统的性质具有重要价值。本论文利用自主设计搭建的双腔CVD系统生长石墨烯,然后用卤化物气相 […]
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- 标签: 中国知网免费入口, 化学气相沉积(CVD), 卤化物气相外延(HVPE), 大学英语论文, 工厂供电毕业设计, 毕业论文总结, 氮化镓/石墨烯复合结构
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