【摘要】半导体工业中，离子注入技术作为一种新型的掺杂技术，克服了传统热扩散掺杂技术的缺点，具有高精度的剂量均匀性、加工温度低，重复性好等优点，已在大规模集成电路制造中得到了广泛的应用。为了控制和提高离子注入后半导体的质量，需要对注入离子剂量、离子能量、注入深度等工艺参数与半导体的电子输运参数（如载流子寿命和电扩散系数）的关系进行检测和监控。传统测量电子输运参数的方法主要有开路电压衰减法（OCVD） […]