【摘要】随着半导体技术的飞速发展,以GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体由于它在制造异质结构和可调式器件,以及光电设备等方面的应用,因此备受关注。近几年来,为优化和扩大半导体设备的应用,可以通过改变组分使其具有广泛性能的半导体三元混晶,比如AlxGa1-xAs已被广泛应用到像超晶格、钠米线、量子阱、量子线、量子点的纳米电子器件中。然而由于计算的复杂性,目前对三元混晶AlxGa1-xAs的电子带结构 […]