【摘要】Sn02是直接禁带半导体且具有相当高的室温激子束缚能(-130meV),然而由于其双极子-束缚特性,几乎不能产生带间复合发光。在此情况下,利用SnO2缺陷态产生电致发光近年来引起人们的研究兴趣。本文制备了Sn02/P+-Si异质结,并实现了基于该异质结的器件的低电压/电流驱动的紫外-可见电致发光,具体的主要结果如下：(1)研究了不同温度热处理的Sn02/P+-Si异质结器件的电致发光。研究 […]

【摘要】近二十年来，伴随着光电和通信技术的发展，氮化物半导体材料越来越受到人们的重视，目前基于GaN的照明技术已经相当成熟并实现了商业化，而InN材料却只是在近几年里才受到关注。InN具有很多优良特性，包括极低的电子有效质量、高迁移率、高饱和速率、窄带隙等等，尤其是其0.7eV左右的禁带宽度对应的发光波长刚好位于石英光纤通讯窗口。而InAlN合金材料的带隙可以涵盖从近红外波段到紫外波段的光谱范围， […]

【摘要】本论文主要对亚铜配合物的光物理性质和电致发光性能进行研究,具体内容如下：1、以原位共蒸亚铜配合物为发光层的高效橙红光电致发光器件设计并合成了三种具备与碘化亚铜(CuI)配位能力的咔唑吡嗪类(CPz)化合物。研究了它们及其与CuI共蒸掺杂薄膜的光物理性质后,选定化合物9-(3-(6-(咔唑-9-基)吡嗪-2-基)苯)-咔唑(CPzPC)与CuI用于制作OLED器件的发光层。最优化的器件发射橙 […]

【摘要】石墨烯因具备极好的导电性、导热性以及透光率,可以在微电子、光电子等领域起到重要应用。石墨烯的制备技术也获得了长足的进步,为下一步实现工业化起到了积极的推进作用。本论文采用化学气相沉积法(CVD)在铜箔上制备了单层石墨烯,并对其结构以及电学性能进行了研究。通过与采用磁控溅射的方法制备的ZnO薄膜结合制备了电致发光原型器件,对其电致发光(EL)特性及机制进行了研究与分析。另一方面,通过与n型硅 […]

【摘要】碳点是一种新型发展的发光量子效率较高的纳米光源。它由两部分组成。它的内核的主要成分为sp2杂化的结晶或非晶态的碳原子。它的表面往往带有丰富的功能基团，如羟基、羧基、羰基以及氨基等。因为它的发光稳定，生物相容性好，原料广泛以及制备简易而受到广泛关注。目前对于碳点的应用研究集中在生物医学方面，如将它用于化学传感和生物标记。在这些研究里，碳点都处于水溶液的环境，它的发光也是在水溶液环境下的发光。 […]

【摘要】面对全球不断增长的能源需求和传统矿物能源带来的环境问题，绿色能源开发和节能器件制造愈来愈受到人们的重视。其中，低成本、高效率、长寿命太阳能电池和低能耗、高亮度、长寿命半导体发光二极管（LED）光源是两个重要的研究领域。基于硅材料和硅平面工艺在电子工业中的重要基础地位，对硅基纳米体系构筑技术、光电性能与原型器件的研究成为近年来纳米科学与技术领域的热点。在前期研究中，我们通过水热腐蚀单晶硅片制 […]

【摘要】近年来，随着光纤通讯、传感、生物活体检测和医学成像等技术的快速发展，近红外(NIR)材料在军事、医疗和能源等方面扮演着越来越重要的角色。有机近红外发光材料(NIR-OLEMs)由于具有制备成本低，功能和结构易于调节等优点已成为当今新材料领域最富活力和生机的前沿研究领域之一。本论文系统综述了有机近红外电致发光材料(NIR-OELMs)的发展现状，针对NIR-OELMs的种类少、有机电致荧光材 […]

【摘要】发光二极管因高效节能、长寿命、固态发光和驱动灵活等优点而在越来越多的领域中得到应用。目前，研究和应用最多的是氮化镓基发光二极管，因为只要合理调节铟镓氮三元化合物中铟的含量，就能实现氮化镓基发光二极管从深紫外到近红外波长范围内的发光。然而不当的热管理、大电流密度下发光效率急剧衰减的现象和衬底不匹配等问题都会导致发光二极管发光效率随着使用时间的推移而出现极大的衰降。同时发光二极管有源区尺寸又小 […]

【摘要】近年来,随着科学技术的不断进步,在半导体材料方面取得的成果也越来越明显,特别是AIN,GaN,InN及其合金化合物等III-V族氮化物半导体材料,更是得到了快速的发展。其中,GaN材料作为III-V族化合物半导体材料的代表,由于其拥有着优良的物理、化学性质和十分广泛的应用前景,逐渐成为研究的热点。GaN及其合金化合物都是直接带隙半导体材料并且带隙宽度的变化范围很大,根据组分的不同,带隙可从 […]