【摘要】随着半导体器件工艺的飞速发展,半导体器件尺寸不断减小,集成密度不断提高。作为半导体器件中的一员,非易失性存储器也不断地往高集成度、高读写速度以及低功耗方向发展。然而,随着集成度的不断提高,传统的浮栅型Flash存储器面临着严峻挑战。首先,器件的隧穿氧化物层厚度必须减薄,然而由于受到电荷流失和应力诱导电流泄露的影响,隧穿氧化物层的厚度很难再继续减薄；再者,当相邻器件单元之间距离很小时,相邻两 […]