CdS/(Pr,Gd,Dy,Y)/CdS多层薄膜与掺Sb-ZnTe薄膜的制备及其性能研究 12月07日
【摘要】本文以CdTe太阳电池制备工艺中两项关键性技术——窗口层CdS与背接触层ZnTe的制备为基础进行研究。主要内容如下:1.采用化学水浴法(CBD)两次沉积CdS,制备了结构为CdS/CdS的薄膜,并利用真空蒸发工艺在两层CdS薄膜之间沉积一层稀土单质层,制备了含有不同厚度稀土中间层的CdS/Pr/CdS、CdS/Gd/CdS、CdS/Dy/CdS、CdS/Y/CdS薄膜。研究了不同稀土元素、 […]
真空蒸发制备CdSe_xTe_(1-x)薄膜及其Sb掺杂的研究 12月07日
【摘要】近年来CdSexTe1-x三元化合物薄膜由于光学带隙连续可调等原因,可以制备具有渐变带隙的光伏电池,因此受到了许多研究者的关注,目前制备CdSexTe1-x三元化合物薄膜最好的方法是热壁真空沉积技术。本文采用真空蒸发法在CdTe粉末中按不同比例掺入CdSe粉末,选择合适的工艺条件,纯的CdSexTe1-x薄膜和金属锑掺杂的CdSexTe1-x化合物薄膜在玻璃基底上被制备,最后,以氮气作为保 […]