【摘要】硅纳米线因其独特的光学，电学和热力学等性能而在光电器件，传感器等方面具有广阔的应用前景。本文利用金属辅助催化刻蚀方法制备了大面积的硅纳米线阵列，并将其应用到有机-无机杂化太阳电池中。1.金属退火结合湿法化学刻蚀制备硅纳米线和纳米孔。经过热动力学分析，确定了薄膜沉积厚度和退火温度对形貌的决定性影响。刻蚀后银球在硅基底上可以得到硅纳米孔，带孔的银薄膜在硅基底上可以得到硅纳米线。2.使用纳米球模 […]

【摘要】硅纳米线阵列（Siliconnanowirearrays，SiNWAs）是直径小于100nm的硅纳米线以一定取向整齐排列于材料表面所形成的纳米阵列。纳米线自身的物理性质及纳米效应赋予SiNWAs表面多种优良的性能，如低反射和光吸收、催化活性、比表面积大等，从而使SiNWAs在能源、催化、环境以及生物方面具有广阔的应用前景。此外，在一些应用上，相比于分散相的硅纳米线体系，SiNWAs不存在分 […]

【摘要】硅纳米线阵列（siliconnanowires,SiNWs）作为一维半导体纳米材料的典型代表，由于其优异的物理性质和化学性质，在纳米光电子器件，新能源以及生物检测等方面具有巨大的应用价值。但是在已报道的研究中，多数研究组以SiNWs同生长基底作为整体构筑器件。这使得SiNWs器件成本较高，并且不利于构筑柔性轻薄器件。因此发展一种使SiNWs脱离生长基底，并充分利用生长SiNWs单晶硅基底的 […]