【摘要】随着便携式电子元器件的需求不断增加，对器件的体积、灵敏度、能耗和集成度等提出了更高的要求，能源供应也成为限制器件微小型化的重要技术瓶颈。本论文面向“电源微型化、集成化和智能化”的发展趋势，针对MEMS微型电容器温度使用范围宽、功耗低、噪声低、使用寿命长、储能密度高及瞬发功率高的迫切发展要求，开展基于MEMS技术的大容量体积比和高可靠性微型电容器的基础研究，以期为未来微能源系统的设计与应用奠 […]

【摘要】过去的几十年里，微电子器件尺寸按照摩尔定律持续减小，电子产品性能得到空前提高。但是在半导体制作工艺尺寸缩小到深亚微米量级后，工艺技术逐渐达到物理极限，量子效应、短沟道效应等小尺寸效应越来越凸显，成为摩尔定律继续发展的瓶颈。三维集成电路（Three-DimensionalIntegratedCircuit,3DIC）不再一味追求小尺寸，而是采用三维堆叠的方式来提高系统集成度，通过硅通孔（Th […]

【摘要】随着板级与封装级电子系统向低电压、高功耗、高密度以及高速度的发展趋势，信号完整性、电源完整性和电磁兼容性已成为高速电路设计与系统级封装中的研究热点。一方面，电源需给状态切换时的芯片提供大量瞬时电流，会在供电网络上产生相应的电压波动，电压波动在电源分配网络上传播形成噪声或电磁干扰信号。另一方面，电磁干扰将通过电源分配网络耦合到相关的信号线上，从而引起眼图闭合、信号畸变等信号完整性问题。因此， […]

【摘要】随着集成电路进入纳米时代，芯片的特征尺寸不断减小而集成度持续上升，片上晶体管数目的增加大大提高了芯片的复杂度，连接芯片内部功能块的互连线结构也变的复杂，集成电路的设计重心由原来器件为主逐步向互连线上转移。集成电路的互连结构目前已经达到13层，加上低k低热导率介质材料的引入，导致互连线的热耗散路径变长、难度增大。互连线自身产生的焦耳热无疑升高了互连温度，而受温度影响的互连电阻的改变使得现有的 […]