【摘要】SiC作为第3代半导体材料,与Si、GaAs相比,具有带隙宽、热导率高、电子饱和漂移速率大、化学稳定性好等优点,非常适于制作高温、高频、抗辐射、大功率和高密度集成的电子器件。SiC晶片的应用要求其表面超光滑、无损伤、无缺陷,其加工质量直接影响到电子器件的性能。但单晶SiC为典型的硬脆材料,莫氏硬度约为9.2仅次于金刚石,同时具有良好的化学稳定性,常温下几乎不与酸碱发生反应,常规研磨工艺效率 […]