【摘要】本论文就如何通过源漏电极缓冲层提高与改善并五苯基薄膜晶体管的性能以及性能改善的机理进行了研究。当源漏电极与并五苯有源层接触时，由于界面偶极层与金属化半导体层的作用，会在界面处引入大约1eV的空穴注入势垒，该势垒的存在导致空穴注入效率下降、器件性能降低。采用源漏电极缓冲层，一方面可以阻挡金向有源层中的扩散，避免金属化有机层的产生；另一方面可一定程度上抑制界面偶极层的形成。在本论文中，我们首先 […]

【摘要】近些年来,有机太阳能电池的发展突飞猛进,基于良好的柔韧性、低成本和等优势,在光伏领域具有较大的优势,成为研究的重点。针对目前研究中存在的问题和难点,本论文从以下几个方面做了简要的探索。首先,分析了太阳能电池的等效电路模型中存在的缺陷,提出了双二极管电路模型；在此模型的基础上,通过数值模拟,研究了等效串联电阻、等效并联电阻以及二极管反向饱和电流等因素与器件性能之间的内在联系。结果表明,器件的 […]

【摘要】自从上世纪八十年代以来,有机场效应晶体管的研究得到了广泛的关注。有机场效应晶体管不仅是未来低成本柔性电路中不可或缺的构成单元,并且对π共轭体系中载流子传输的理论研究提供了重要依据。因此,通过对诸如场效应载流子迁移率、电流开关比和阈值电压等性质的研究,可以更深入地探究π共轭体系结构与其电学性能的关系。在本论文中,我们首先介绍了基于双极性有机场效应材料反相器的构筑和测试方法,并且探讨了双极性材 […]

【摘要】三元化合物InGaAs是比较重要的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，它可以由InAs和GaAs两种材料以任何配比形成，晶格常数随组分近似为线性变化，可以从GaAs的0.5653nm增加到InAs的0.6058nm，截止波长分别为3.5μm和0.87μm，是制备短波红外探测器的理想的材料。InxGa1-xAs的In组分为0.53时，与InP衬底材料晶格匹配，因此可以制备出高质量的In0.53Ga0.47A […]

【摘要】宽带隙半导体是现代短波长光电子技术发展的材料基础之一。对宽带隙半导体薄膜材料的制备研究和器件开发具有重要的应用价值。近十多年来，MgO-ZnO准二元合金系统得到人们越来越多的关注。该材料具有非常宽的光学带隙调制跨度（从ZnO的3.37eV到MgO的7.8eV），相应光波长从380nm到160nm。然而，由于常态下ZnO和MgO倾向于不同的配位结构（ZnO是四配位的纤锌矿结构，MgO是六配位 […]

【摘要】自主设计制作出用于聚对二甲苯(parylene-N,PPXN)薄膜生长的分子束源。在有机电致发光二极管(organiclightemittingdiodes,OLED)的阳极-有机层界面插入PPXN薄膜缓冲层,器件的电流效率得到显著增强。PPXN薄膜缓冲层插入器件的电子传输层中,同样获得了电流效率的明显提升。1.基于分子束外延技术,自主设计制作出用于PPXN薄膜制备的分子束源。通过结构优化 […]