磁隧道结模型及自旋转移力矩磁随机存储器设计技术研究 10月10日
【摘要】近年来,随着新型计算机、信息和通信等电子技术的飞速发展,对作为其核心部件的存储器提出了高密度、高速度、高写入效率、高可靠性等高性能要求。自旋转移力矩磁随机存储器(STT-MRAM:SpinTransferTorqueMagneticRandomAccessMemory)集成了可以与动态随机存储器相比拟的高集成度,可以与静态随机存储器相比拟的高速读写能力,以及闪存的非易失性,而且还具有无限次 […]
【摘要】近年来,随着新型计算机、信息和通信等电子技术的飞速发展,对作为其核心部件的存储器提出了高密度、高速度、高写入效率、高可靠性等高性能要求。自旋转移力矩磁随机存储器(STT-MRAM:SpinTransferTorqueMagneticRandomAccessMemory)集成了可以与动态随机存储器相比拟的高集成度,可以与静态随机存储器相比拟的高速读写能力,以及闪存的非易失性,而且还具有无限次 […]