【摘要】在纳米半导体材料中,最受科研工作者关注的半导体材料为：Ⅱ-Ⅵ族半导体、Ⅲ-Ⅴ族半导体和Ⅳ-Ⅵ族半导体等,其中氧族半导体材料占据重要位置,本文主要研究Sn、Zn氧族半导体纳米材料(SnS、ZnO)。本文分为两部分,第一部分为ZnO纳米材料的制备及其光学性能研究。ZnO为宽带隙半导体,其禁带宽度为3.3eV,具有较高的激子束缚能60MeV。ZnO纳米材料基于其半导体性能的优越性,这使得其在光、 […]