真空蒸发制备CdSe_xTe_(1-x)薄膜及其Sb掺杂的研究 12月07日
【摘要】近年来CdSexTe1-x三元化合物薄膜由于光学带隙连续可调等原因,可以制备具有渐变带隙的光伏电池,因此受到了许多研究者的关注,目前制备CdSexTe1-x三元化合物薄膜最好的方法是热壁真空沉积技术。本文采用真空蒸发法在CdTe粉末中按不同比例掺入CdSe粉末,选择合适的工艺条件,纯的CdSexTe1-x薄膜和金属锑掺杂的CdSexTe1-x化合物薄膜在玻璃基底上被制备,最后,以氮气作为保 […]
【摘要】近年来CdSexTe1-x三元化合物薄膜由于光学带隙连续可调等原因,可以制备具有渐变带隙的光伏电池,因此受到了许多研究者的关注,目前制备CdSexTe1-x三元化合物薄膜最好的方法是热壁真空沉积技术。本文采用真空蒸发法在CdTe粉末中按不同比例掺入CdSe粉末,选择合适的工艺条件,纯的CdSexTe1-x薄膜和金属锑掺杂的CdSexTe1-x化合物薄膜在玻璃基底上被制备,最后,以氮气作为保 […]