【摘要】本论文就如何通过源漏电极缓冲层提高与改善并五苯基薄膜晶体管的性能以及性能改善的机理进行了研究。当源漏电极与并五苯有源层接触时，由于界面偶极层与金属化半导体层的作用，会在界面处引入大约1eV的空穴注入势垒，该势垒的存在导致空穴注入效率下降、器件性能降低。采用源漏电极缓冲层，一方面可以阻挡金向有源层中的扩散，避免金属化有机层的产生；另一方面可一定程度上抑制界面偶极层的形成。在本论文中，我们首先 […]