【摘要】非晶氧化物半导体（AOS）由于迁移率高,可以在低温下制备等优点而受到研究者的广泛关注。采用AOS作为沟道层的薄膜晶体管（TFT）被认为是下一代大尺寸、高分辨率以及柔性平板显示的主流技术。目前AOSTFT主要是InGaZnO4为沟道层,虽然在日韩等企业中已经逐步实现了工业化,但是仍然面临着In元素成本高,TFT良率低的困扰。这样一个技术变革的时代对我国的平板显示工业是一个难得的机遇。因此,开 […]