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中空SnO_2纳米纤维的掺杂、修饰及其气敏特性 01月08日

【摘要】气敏材料是气敏传感器的关键,它是直接与分析气体接触发生气敏反应,并将信息反映到系统中以供检测。半导体金属氧化物具有灵敏度高、响应和恢复时间短、稳定性高等优势,而且成本较低,是非常理想的气敏材料。但是,纯半导体金属氧化物的灵敏度不够高,且选择性较差。所以,我们选择对纯的Sn02材料进行改性研究。本文中,主要通过两个方面来提高SnO2材料的气敏性能:首先,通过静电纺丝法结合煅烧制备中空结构的S […]

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Li掺杂SnO_2d~0磁性的第一性原理研究 12月27日

【摘要】近年来,关于非磁性离子掺杂半导体d0磁性的研究引起了广泛关注。非磁性离子掺杂可以有效地避免过渡族磁性元素掺杂所产生的磁团簇、磁沉积或磁第二相等,消除了上述非内禀磁性产生的影响。在各种类型的磁性半导体中,氧化物基半导体具有宽带隙,能够实现n型载流子重掺杂,是有希望实现高居里温度磁性的基质半导体之一。实验研究发现一些非磁性离子掺杂氧化物半导体具有室温d0磁性。作为一种重要的宽带隙半导体材料,非 […]